Vibro-meter 200-560-000-113 200-560-101-017 VM600 IOC4T

Vibro-meter 200-560-000-113 200-560-101-017 VM600 IOC4T旁路参数：电容和导纳

串联参数代表对电流流动的阻力，而并联参数反映导体与地或相与相之间的泄漏和能量储存。这些参数对于理解线路充电电流和费兰蒂效应至关重要。

电容 (C) 由于导体之间的电场以及每个导体与接地之间的电场而存在。在高压和长距离线路上，旁路电容效应变得显著。对于具有对称间距的三相线路，每相到中性线的电容为：

输入：C输入：=2输入：π输入：ϵ自然对数输入：(输入：D输入：/输入：r输入：′输入：)输入：C输入：=2输入：π输入：ϵ自然对数输入：⁡输入：(输入：D输入：/输入：r输入：′输入：)

Vibro-meter 200-560-000-113 200-560-101-017 VM600 IOC4T　哪里:

ε 是周围介质的介电常数 (F/m)

D 是导体之间的距离，

r’ 是导体的等效半径。

这种电容即使在负载断开时也会产生线路充电电流，这会导致无功功率并可能影响电压调节。

图1。流经线路并联电容的电流称为充电电流。(a) 传输线路的T模型。(b) 传输线路的π模型。图片 courtesy 于 Schweitzer Engineering Laboratories。

导电率 (G) 账户绝缘体和周围空气中的介电损耗。尽管在架空线中由于空气的高电阻率，导电率通常可以忽略，但在电缆或污染环境中，导电率会在绝缘表面形成泄漏路径而变得重要。

多相系统的阻抗和导纳矩阵

Vibro-meter 200-560-000-113 200-560-101-017 VM600 IOC4T在多导体(通常为三相)系统中，由于相互影响，阻抗和导纳必须作为矩阵来处理。每单位长度的阻抗矩阵 [Z] 和导纳矩阵 [Y] 定义为：

每个对角元素包括自阻抗或自 admittance，而非对角元素表示相互作用。准确建模这些矩阵对于线路阻抗计算和故障分析至关重要。